檢索結果:共4筆資料 檢索策略: "銦".ckeyword (精準) and year="110"
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本論文成長並探討過渡性金屬鎘銦化雙硫屬化合物之二硫化銦鎘 (CdInS2) 及二硒化銦鎘 (CdInSe2) 的光學特性與載子動力學之研究。首先利用化學氣相傳導法成長 CdInS2 與 CdInSe…
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在本實驗中,探討成分對於鑄造銻化銦奈米線之熱電性能之影響。研究中以III-V族半導體之銻化銦 (InSb)作為材料的選擇,因銻化銦 (InSb)在III-V族半導體中,具有極小的能隙以及較高的電子遷…
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金屬氧化物半導體薄膜電晶體(Oxide-TFT)由於其高載子遷移率、高可見光透明性、大面積均勻性、低溫製成及低漏電流…等,於近年來常被應用於大尺寸面板甚至是攜帶型產品中作為驅動或是補償電路的元件使用…